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新型电池充电器,具备优良的耐温特性以及长循环寿命!

发布时间:2023-10-25 18:28:22 阅读:342

本文介绍了一种基于多相谐振变换器的新型电池充电器,适用于高容量48V的LiFePO4锂离子电池。锂铁PO4电池是目前应用最广泛的电池之一,具有高能效、高安全性能、非常好的温度特性和较长的循环寿命。为了维护电池的健康,必须对充电电流进行准确控制。根据在实验室获得的实验数据,将充电器的设计与电池模型紧密相关。研究人员以降低传导损耗为目的,对N类D级LCpCs谐振逆变器并联得到的逆变级进行了总体分析。


相关论文以题为“BatteryChargerBasedonaResonantConverterforHigh-PowerLiFePO4Batteries”与2021年01月23日发表在《Electronics》上。


磷酸铁锂(LiFePO4)电池具有很好的电化学性能和良好的热稳定性,使其更安全、更坚固。这种以锂为基础的技术具有非常低的内阻,可提供高额定电流。与其他技术相比,其循环寿命明显更长。LiFePO4电池的应用包括可再生能源设施中的存储系统,为电动汽车和数据中心、电信和医院的不间断电源(UPS)供电。


电池模型是设计充电器的重要工具,它允许研究电池充电器系统在整个充电过程中的动态响应,其中转换器负载,即电池的等效电阻,从几乎短路到开路值变化。

大多数电池模型都是以改善电池管理系统(BMS)性能为目的,提供电池的重要参数信息,如充电状态(SOC)。电池SOC和功率容量的估计通常应用三种方法解决,即查表法、基于模型的方法和人工智能法。除此之外,BMS还负责保证电池在温度的安全裕度内运行,并设置过压和欠压保护限值。


充电方式


本工作所采用的商用48NPFC50LiFePO4电池的主要特点是标称电压为48V,标称容量(Cn)为50Ah,即功率容量为2.4kWh。该电池由十五个(Ns=15)串联的堆叠电池组成,并加入了一个BMS,以保证所有电池的正确充电平衡。


因此,假设每个电池的电压与任何其他电池相同。电池充电器的设计要满足BMS确定的所有操作限制。


推荐用于LiFePO4电池的充电协议是著名的恒定电流(CC)-恒定电压(CV)方法(即CC-CV)。在CC阶段,电池以最大电流率充电,该电流率取决于电池容量和技术。

一旦电池电压达到电池数据表中规定的最大充电电压,就开始进入CV阶段。此时,从充电器中抽取的功率是最大的,大约在SOC的90%时发生。


在CV阶段,充电电流减小。在图1所示的电池实验室设施中进行了三种实验性充电曲线。它们是在室温(25℃)下使用电池测试设备PECSBT-10050(PEC,比利时鲁汶)进行评估,并考虑到电池完全放电作为初始条件。


图1.电池测试的实验室设施。(左)电池测试的实验室设施。(右)连接到SBT-10050测试设备的电池。


这些曲线对应的是在CC阶段的电流率等于Cn/5、Cn/2和Cn时的电池充电情况。结果如图2所示。


图2.48NPFC50LiFePO4电池在10、25、50A时的实验充电曲线。


在整个充电过程中,BMS对温度进行观察,并实施相应的保护(充电时最高值55℃),防止电池老化。研究锂离子电池温度作为充放电电流函数的电热模型已经有报道。


在本工作中,为了缩短充电时间,选择最大充电电流率为20A(约Cn/2)的充电器设计。根据电池的实验特性,在Cn/2下充电可使电池的温度远低于55℃。


蓄电池型号


虽然LiFePO4电池是一个复杂的物理系统,涉及多个变量,但基于电参数的模型[25]可以在简单性、准确性和洞察力信息之间取得良好的权衡,如图3所示。在假设所有电池完全相同的情况下,通过影响所有参数的电池总数Ns,对单电池模型进行泛化,如图3所示。


图3.考虑Ns串联堆积电池的电池模型。


结论


本文介绍了电池充电器应用的多相谐振变换器的一般设计程序。由于交流侧的输出电流由N个相等的逆变器部分共享,因此该电路使用低成本的功率MOSFET呈现了高输出电流能力,并且简化了谐振电感的设计。所提出的输出整流器是基于M绕组电流倍增器整流器,同时通过使用无源元件来减小传导损耗。


所提出的充电器的效率曲线呈现出宽阔的平坦区域,保证了即使在轻载条件下也有恒定的效率值。考虑到在整个充电过程中,尽管负载变化很大,但高效率是可取的,这一特点对电池充电器的应用非常有趣。变压器Lk的漏感对交流侧的影响被串联电容Cs抵消。最大充电电流是由电路以固有的方式限制的,没有任何控制的必要。


然而,输出电压通过带有I型误差放大器的电压控制回路被限制在对电池推荐的最大值内。控制动作是通过调整控制角Ψ来保持开关频率恒定,同时在任何操作点保持ZVS模式。


通过实现一个实验样机为一个容量为50Ah的商用48VLiFePO4电池充电,验证了一般建议。使用SiMOSFET的N=4逆变器在Vdc=400V时实现的效率与使用SiCMOSFET的N=2逆变器在Vdc=800V时预测的效率相似。


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